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G3R40MT12J

制造商:GeneSiC Semiconductor

封装外壳:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA

描述:SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7

3945 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的G3R40MT12J,现有足量库存。G3R40MT12J的封装/规格参数为:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA;同时斯普仑现货为您提供G3R40MT12J数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有G3R40MT12J的详细使用方法及教程。

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G3R40MT12J产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 G3R40MT12J
描述 SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
制造商 GeneSiC Semiconductor
库存 3945
系列 G3R™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 48 毫欧 @ 35A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.69V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 106 nC @ 15 V
Vgs(最大值) ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2929 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 374W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263-7
封装/外壳 TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA

为智能时代加速到来而付出“真芯”