IMW65R048M1HXKSA1规格参数_imw65r048m1hxksa1现货热销【斯普仑】

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IMW65R048M1HXKSA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：-

描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

8259 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IMW65R048M1HXKSA1，现有足量库存。IMW65R048M1HXKSA1的封装/规格参数为:-；同时斯普仑现货为您提供IMW65R048M1HXKSA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IMW65R048M1HXKSA1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IMW65R048M1HXKSA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IMW65R048M1HXKSA1
描述	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
制造商	Infineon Technologies
库存	8259
系列	-
包装	管件
FET 类型	-
技术	-
漏源电压（Vdss）	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	39A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	-
供应商器件封装	-
封装/外壳	-