IPT60R028G7XTMA1规格参数_ipt60r028g7xtma1现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IPT60R028G7XTMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerSFN

描述：MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF

3414 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPT60R028G7XTMA1，现有足量库存。IPT60R028G7XTMA1的封装/规格参数为:8-PowerSFN；同时斯普仑现货为您提供IPT60R028G7XTMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPT60R028G7XTMA1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IPT60R028G7XTMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPT60R028G7XTMA1
描述	MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
制造商	Infineon Technologies
库存	3414
系列	CoolMOS™ G7
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	28 毫欧 @ 28.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1.44mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	123 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4820 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	391W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HSOF-8-2
封装/外壳	8-PowerSFN