G2R1000MT17D规格参数_g2r1000mt17d现货热销【斯普仑】

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G2R1000MT17D

制造商：GeneSiC Semiconductor

封装外壳：TO-247-3

描述：SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3

4341 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的G2R1000MT17D，现有足量库存。G2R1000MT17D的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供G2R1000MT17D数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G2R1000MT17D的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

G2R1000MT17D产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	G2R1000MT17D
描述	SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
制造商	GeneSiC Semiconductor
库存	4341
系列	G2R™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.2 欧姆 @ 2A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	139 pF @ 1000 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	53W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247-3
封装/外壳	TO-247-3