IXTY01N100规格参数_ixty01n100现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IXTY01N100

制造商：IXYS

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA

7796 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTY01N100，现有足量库存。IXTY01N100的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供IXTY01N100数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXTY01N100的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IXTY01N100产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IXTY01N100
描述	MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
制造商	IXYS
库存	7796
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	80 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	6.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	54 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	25W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252AA
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63