TK099V65Z,LQ规格参数_tk099v65z,lq现货热销【斯普仑】

400-900-8690

TK099V65Z,LQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：4-VSFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN

5745 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK099V65Z,LQ，现有足量库存。TK099V65Z,LQ的封装/规格参数为:4-VSFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供TK099V65Z,LQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK099V65Z,LQ的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

TK099V65Z,LQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TK099V65Z,LQ
描述	MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	5745
系列	DTMOSVI
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	99 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1.27mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2780 pF @ 300 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	230W（Tc）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	5-DFN（8x8）
封装/外壳	4-VSFN 裸露焊盘