TK9J90E,S1E规格参数_tk9j90e,s1e现货热销【斯普仑】

400-900-8690

TK9J90E,S1E

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-3P-3，SC-65-3

描述：MOSFET N-CH 900V 9A TO3P

2222 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK9J90E,S1E，现有足量库存。TK9J90E,S1E的封装/规格参数为:TO-3P-3，SC-65-3；同时斯普仑现货为您提供TK9J90E,S1E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK9J90E,S1E的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

TK9J90E,S1E产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TK9J90E,S1E
描述	MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	2222
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.3 欧姆 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2000 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	250W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-3P（N）
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3