BSB056N10NN3GXUMA1规格参数_bsb056n10nn3gxuma1现货热销【斯普仑】

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BSB056N10NN3GXUMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：3-WDSON

描述：MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON

6552 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSB056N10NN3GXUMA1，现有足量库存。BSB056N10NN3GXUMA1的封装/规格参数为:3-WDSON；同时斯普仑现货为您提供BSB056N10NN3GXUMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSB056N10NN3GXUMA1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

BSB056N10NN3GXUMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSB056N10NN3GXUMA1
描述	MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
制造商	Infineon Technologies
库存	6552
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9A（Ta），83A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5.6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	74 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5500 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.8W（Ta），78W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	MG-WDSON-2，CanPAK M™
封装/外壳	3-WDSON