FDB38N30U规格参数_fdb38n30u现货热销【斯普仑】

400-900-8690

FDB38N30U

制造商：onsemi

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET N CH 300V 38A D2PAK

5891 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDB38N30U，现有足量库存。FDB38N30U的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供FDB38N30U数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDB38N30U的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FDB38N30U产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDB38N30U
描述	MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
制造商	onsemi
库存	5891
系列	UniFET™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	120 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	73 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3340 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	313W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	D²PAK（TO-263）
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB