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IRLD024PBF

制造商:Vishay Siliconix

封装外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)

描述:MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

5395 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的IRLD024PBF,现有足量库存。IRLD024PBF的封装/规格参数为:4-DIP(0.300",7.62mm);同时斯普仑现货为您提供IRLD024PBF数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IRLD024PBF的详细使用方法及教程。

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IRLD024PBF产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IRLD024PBF
描述 MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
制造商 Vishay Siliconix
库存 5395
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 100 毫欧 @ 1.5A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 18 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 870 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 4-HVMDIP
封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm)

为智能时代加速到来而付出“真芯”