IRFD110PBF规格参数_irfd110pbf现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IRFD110PBF

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）

描述：MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

5139 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的IRFD110PBF，现有足量库存。IRFD110PBF的封装/规格参数为:4-DIP（0.300"，7.62mm）；同时斯普仑现货为您提供IRFD110PBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFD110PBF的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IRFD110PBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFD110PBF
描述	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
制造商	Vishay Siliconix
库存	5139
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	540 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	8.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	180 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.3W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	4-HVMDIP
封装/外壳	4-DIP（0.300"，7.62mm）