SUD50P10-43L-E3规格参数_sud50p10-43l-e3现货热销【斯普仑】

SUD50P10-43L-E3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252

6438 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SUD50P10-43L-E3，现有足量库存。SUD50P10-43L-E3的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供SUD50P10-43L-E3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SUD50P10-43L-E3的详细使用方法及教程。

SUD50P10-43L-E3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SUD50P10-43L-E3
描述	MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
制造商	Vishay Siliconix
库存	6438
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	37.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	43 毫欧 @ 9.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4600 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	8.3W（Ta），136W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252AA
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

SUD50P10-43L-E3

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