FDD86367规格参数_fdd86367现货热销【斯普仑】

400-900-8690

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

9938 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDD86367，现有足量库存。FDD86367的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供FDD86367数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDD86367的详细使用方法及教程。

FDD86367产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDD86367
描述	MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
制造商	onsemi
库存	9938
系列	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.2 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	88 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4840 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	227W（Tj）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	D-PAK（TO-252）
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63