SQ4425EY-T1_GE3规格参数_sq4425ey-t1_ge3现货热销【斯普仑】

400-900-8690

SQ4425EY-T1_GE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC

6275 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SQ4425EY-T1_GE3，现有足量库存。SQ4425EY-T1_GE3的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供SQ4425EY-T1_GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SQ4425EY-T1_GE3的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SQ4425EY-T1_GE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SQ4425EY-T1_GE3
描述	MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
制造商	Vishay Siliconix
库存	6275
系列	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	12 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	50 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3630 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	6.8W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOIC
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）