BSC190N12NS3GATMA1规格参数_bsc190n12ns3gatma1现货热销【斯普仑】

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BSC190N12NS3GATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON

5695 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSC190N12NS3GATMA1，现有足量库存。BSC190N12NS3GATMA1的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供BSC190N12NS3GATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSC190N12NS3GATMA1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

BSC190N12NS3GATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSC190N12NS3GATMA1
描述	MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
制造商	Infineon Technologies
库存	5695
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8.6A（Ta），44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	19 毫欧 @ 39A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 42µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2300 pF @ 60 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	69W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TDSON-8-1
封装/外壳	8-PowerTDFN