PSMN2R0-30YL,115规格参数_psmn2r0-30yl,115现货热销【斯普仑】

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PSMN2R0-30YL,115

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：SC-100，SOT-669

描述：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

2162 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PSMN2R0-30YL,115，现有足量库存。PSMN2R0-30YL,115的封装/规格参数为:SC-100，SOT-669；同时斯普仑现货为您提供PSMN2R0-30YL,115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PSMN2R0-30YL,115的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PSMN2R0-30YL,115产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PSMN2R0-30YL,115
描述	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	2162
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3980 pF @ 12 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	97W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳	SC-100，SOT-669