TPH2R608NH,L1Q规格参数_tph2r608nh,l1q现货热销【斯普仑】

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TPH2R608NH,L1Q

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP

3785 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPH2R608NH,L1Q，现有足量库存。TPH2R608NH,L1Q的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供TPH2R608NH,L1Q数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPH2R608NH,L1Q的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

TPH2R608NH,L1Q产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TPH2R608NH,L1Q
描述	MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	3785
系列	U-MOSVIII-H
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6000 pF @ 37.5 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	142W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳	8-PowerVDFN