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IRLR2908TRPBF

制造商:Infineon Technologies

封装外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

描述:MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

8080 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRLR2908TRPBF,现有足量库存。IRLR2908TRPBF的封装/规格参数为:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;同时斯普仑现货为您提供IRLR2908TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IRLR2908TRPBF的详细使用方法及教程。

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IRLR2908TRPBF产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IRLR2908TRPBF
描述 MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
制造商 Infineon Technologies
库存 8080
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 28 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 33 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1890 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 120W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

为智能时代加速到来而付出“真芯”