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IRFR3504ZTRPBF

制造商:Infineon Technologies

封装外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

5088 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFR3504ZTRPBF,现有足量库存。IRFR3504ZTRPBF的封装/规格参数为:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;同时斯普仑现货为您提供IRFR3504ZTRPBF数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IRFR3504ZTRPBF的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFR3504ZTRPBF,现有足量库存。IRFR3504ZTRPBF的封装/规格参数为:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;同时斯普仑现货为您提供IRFR3504ZTRPBF数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IRFR3504ZTRPBF的详细使用方法及教程。

IRFR3504ZTRPBF产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IRFR3504ZTRPBF
描述 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
制造商 Infineon Technologies
库存 5088
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9 毫欧 @ 42A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 45 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1510 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 90W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

为智能时代加速到来而付出“真芯”