SIR606BDP-T1-RE3规格参数_sir606bdp-t1-re3现货热销【斯普仑】

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SIR606BDP-T1-RE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：PowerPAK® SO-8

描述：MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK

6319 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIR606BDP-T1-RE3，现有足量库存。SIR606BDP-T1-RE3的封装/规格参数为:PowerPAK® SO-8；同时斯普仑现货为您提供SIR606BDP-T1-RE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SIR606BDP-T1-RE3的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SIR606BDP-T1-RE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SIR606BDP-T1-RE3
描述	MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
制造商	Vishay Siliconix
库存	6319
系列	TrenchFET® Gen IV
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10.9A（Ta），38.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	17.4 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1470 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5W（Ta），62.5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8
封装/外壳	PowerPAK® SO-8