VP2110K1-G规格参数_vp2110k1-g现货热销【斯普仑】

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VP2110K1-G

制造商：Microchip Technology

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB

8730 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的VP2110K1-G，现有足量库存。VP2110K1-G的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供VP2110K1-G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有VP2110K1-G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

VP2110K1-G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	VP2110K1-G
描述	MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
制造商	Microchip Technology
库存	8730
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	120mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	12 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	60 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	360mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-236AB（SOT23）
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3