IRL80HS120规格参数_irl80hs120现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IRL80HS120

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：6-VDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN

4809 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRL80HS120，现有足量库存。IRL80HS120的封装/规格参数为:6-VDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供IRL80HS120数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRL80HS120的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IRL80HS120产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRL80HS120
描述	MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
制造商	Infineon Technologies
库存	4809
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	32 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	540 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	11.5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-PQFN（2x2）
封装/外壳	6-VDFN 裸露焊盘