MCG55P02A-TP规格参数_mcg55p02a-tp现货热销【斯普仑】

400-900-8690

MCG55P02A-TP

制造商：Micro Commercial Co

封装外壳：8-VDFN 裸露焊盘

描述：P-CHANNEL MOSFET, DFN3333

3888 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Micro Commercial Co设计生产的MCG55P02A-TP，现有足量库存。MCG55P02A-TP的封装/规格参数为:8-VDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供MCG55P02A-TP数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MCG55P02A-TP的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

MCG55P02A-TP产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	MCG55P02A-TP
描述	P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
制造商	Micro Commercial Co
库存	3888
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	55A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.3 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	149 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6358 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.2W（Ta），38W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DFN3333
封装/外壳	8-VDFN 裸露焊盘