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斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDMC86262P，现有足量库存。FDMC86262P的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供FDMC86262P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDMC86262P的详细使用方法及教程。
| FDMC86262P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | FDMC86262P |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP |
| 制造商 | onsemi |
| 库存 | 1218 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta），8.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 307 毫欧 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 885 pF @ 75 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta），40W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
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