SI4435DYTRPBF规格参数_si4435dytrpbf现货热销【斯普仑】

400-900-8690

SI4435DYTRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET P-CH 30V 8A 8SO

9186 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的SI4435DYTRPBF，现有足量库存。SI4435DYTRPBF的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供SI4435DYTRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SI4435DYTRPBF的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SI4435DYTRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SI4435DYTRPBF
描述	MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
制造商	Infineon Technologies
库存	9186
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	20 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2320 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SO
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）