FDD1600N10ALZ规格参数_fdd1600n10alz现货热销【斯普仑】

400-900-8690

FDD1600N10ALZ

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252

4773 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDD1600N10ALZ，现有足量库存。FDD1600N10ALZ的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供FDD1600N10ALZ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDD1600N10ALZ的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FDD1600N10ALZ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDD1600N10ALZ
描述	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
制造商	onsemi
库存	4773
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	160 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	3.61 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	225 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	14.9W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252AA
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63