NTLJS7D2P02P8ZTAG规格参数_ntljs7d2p02p8ztag现货热销【斯普仑】

400-900-8690

NTLJS7D2P02P8ZTAG

制造商：onsemi

封装外壳：6-PowerWDFN

描述：MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN

7913 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTLJS7D2P02P8ZTAG，现有足量库存。NTLJS7D2P02P8ZTAG的封装/规格参数为:6-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供NTLJS7D2P02P8ZTAG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTLJS7D2P02P8ZTAG的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NTLJS7D2P02P8ZTAG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTLJS7D2P02P8ZTAG
描述	MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
制造商	onsemi
库存	7913
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	7.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9mOhm @ 10A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	26.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2790 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	860mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-PQFN（2x2）
封装/外壳	6-PowerWDFN