SI2333DS-T1-E3规格参数_si2333ds-t1-e3现货热销【斯普仑】

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SI2333DS-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

2882 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SI2333DS-T1-E3，现有足量库存。SI2333DS-T1-E3的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供SI2333DS-T1-E3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SI2333DS-T1-E3的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SI2333DS-T1-E3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SI2333DS-T1-E3
描述	MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
制造商	Vishay Siliconix
库存	2882
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	32 毫欧 @ 5.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	18 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1100 pF @ 6 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	750mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3