DMP6023LSS-13规格参数_dmp6023lss-13现货热销【斯普仑】

400-900-8690

DMP6023LSS-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO

1113 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP6023LSS-13，现有足量库存。DMP6023LSS-13的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供DMP6023LSS-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP6023LSS-13的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

DMP6023LSS-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMP6023LSS-13
描述	MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
制造商	Diodes Incorporated
库存	1113
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	25 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	53.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2569 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.2W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SO
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）