RFD3055LESM9A规格参数_rfd3055lesm9a现货热销【斯普仑】

400-900-8690

RFD3055LESM9A

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA

5657 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的RFD3055LESM9A，现有足量库存。RFD3055LESM9A的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供RFD3055LESM9A数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RFD3055LESM9A的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

RFD3055LESM9A产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RFD3055LESM9A
描述	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
制造商	onsemi
库存	5657
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	107 毫欧 @ 8A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	11.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	350 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	38W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252AA
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63