TPH11006NL,LQ规格参数_tph11006nl,lq现货热销【斯普仑】

400-900-8690

TPH11006NL,LQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP

8362 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPH11006NL,LQ，现有足量库存。TPH11006NL,LQ的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供TPH11006NL,LQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPH11006NL,LQ的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

TPH11006NL,LQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TPH11006NL,LQ
描述	MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	8362
系列	U-MOSVIII-H
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	11.4 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2000 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.6W（Ta），34W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳	8-PowerVDFN