ZVP4525GTA规格参数_zvp4525gta现货热销【斯普仑】

400-900-8690

ZVP4525GTA

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-261-4，TO-261AA

描述：MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223

8518 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的ZVP4525GTA，现有足量库存。ZVP4525GTA的封装/规格参数为:TO-261-4，TO-261AA；同时斯普仑现货为您提供ZVP4525GTA数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ZVP4525GTA的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

ZVP4525GTA产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	ZVP4525GTA
描述	MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
制造商	Diodes Incorporated
库存	8518
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	265mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	3.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	14 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	3.45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	73 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-223-3
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA