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制造商：Taiwan Semiconductor Corporation
封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM650P02CX RFG，现有足量库存。TSM650P02CX RFG的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供TSM650P02CX RFG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TSM650P02CX RFG的详细使用方法及教程。
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| TSM650P02CX RFG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TSM650P02CX RFG |
| 描述 | MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 |
| 制造商 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 库存 | 3053 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 515 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.56W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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