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制造商：Infineon Technologies
封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSR802NL6327HTSA1，现有足量库存。BSR802NL6327HTSA1的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供BSR802NL6327HTSA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSR802NL6327HTSA1的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSR802NL6327HTSA1，现有足量库存。BSR802NL6327HTSA1的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供BSR802NL6327HTSA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSR802NL6327HTSA1的详细使用方法及教程。
| BSR802NL6327HTSA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | BSR802NL6327HTSA1 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 7308 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，2.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 3.7A，2.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 750mV @ 30µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.7 nC @ 2.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1447 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-SC59-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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