ZXMN3A01E6TA规格参数_zxmn3a01e6ta现货热销【斯普仑】

400-900-8690

ZXMN3A01E6TA

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：SOT-23-6

描述：MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

4478 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的ZXMN3A01E6TA，现有足量库存。ZXMN3A01E6TA的封装/规格参数为:SOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供ZXMN3A01E6TA数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ZXMN3A01E6TA的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

ZXMN3A01E6TA产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	ZXMN3A01E6TA
描述	MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
制造商	Diodes Incorporated
库存	4478
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	120 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	3.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	190 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.1W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-6
封装/外壳	SOT-23-6