SSM6J507NU,LF规格参数_ssm6j507nu,lf现货热销【斯普仑】

400-900-8690

SSM6J507NU,LF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：6-WDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB

8064 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM6J507NU,LF，现有足量库存。SSM6J507NU,LF的封装/规格参数为:6-WDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供SSM6J507NU,LF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM6J507NU,LF的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SSM6J507NU,LF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SSM6J507NU,LF
描述	MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	8064
系列	U-MOSVI
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	20 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	20.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	+20V，-25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1150 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.25W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-UDFNB（2x2）
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘