NTR4171PT1G规格参数_ntr4171pt1g现货热销【斯普仑】

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NTR4171PT1G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3

7355 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTR4171PT1G，现有足量库存。NTR4171PT1G的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供NTR4171PT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTR4171PT1G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NTR4171PT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTR4171PT1G
描述	MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
制造商	onsemi
库存	7355
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	75 毫欧 @ 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	720 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	480mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3