DMN32D2LFB4-7规格参数_dmn32d2lfb4-7现货热销【斯普仑】

400-900-8690

DMN32D2LFB4-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN

1255 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN32D2LFB4-7，现有足量库存。DMN32D2LFB4-7的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供DMN32D2LFB4-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN32D2LFB4-7的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

DMN32D2LFB4-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMN32D2LFB4-7
描述	MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
制造商	Diodes Incorporated
库存	1255
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.2 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	39 pF @ 3 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	350mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	X2-DFN1006-3
封装/外壳	3-XFDFN