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NVR5198NLT1G

制造商:onsemi

封装外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3

7807 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVR5198NLT1G,现有足量库存。NVR5198NLT1G的封装/规格参数为:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;同时斯普仑现货为您提供NVR5198NLT1G数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有NVR5198NLT1G的详细使用方法及教程。

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NVR5198NLT1G产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 NVR5198NLT1G
描述 MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
制造商 onsemi
库存 7807
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 155 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 182 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 900mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

为智能时代加速到来而付出“真芯”