SSM6J501NU,LF规格参数_ssm6j501nu,lf现货热销【斯普仑】

400-900-8690

SSM6J501NU,LF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：6-WDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB

5714 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM6J501NU,LF，现有足量库存。SSM6J501NU,LF的封装/规格参数为:6-WDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供SSM6J501NU,LF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM6J501NU,LF的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SSM6J501NU,LF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SSM6J501NU,LF
描述	MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	5714
系列	U-MOSVI
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	15.3 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	29.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2600 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-UDFNB（2x2）
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘