IRLML6302TRPBF规格参数_irlml6302trpbf现货热销【斯普仑】

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IRLML6302TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23

8323 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRLML6302TRPBF，现有足量库存。IRLML6302TRPBF的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供IRLML6302TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRLML6302TRPBF的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IRLML6302TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRLML6302TRPBF
描述	MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
制造商	Infineon Technologies
库存	8323
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	780mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	600 毫欧 @ 610mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	3.6 nC @ 4.45 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	97 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	540mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	Micro3™/SOT-23
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3