欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149

DMP3130LQ-7

制造商:Diodes Incorporated

封装外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23

1837 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP3130LQ-7,现有足量库存。DMP3130LQ-7的封装/规格参数为:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;同时斯普仑现货为您提供DMP3130LQ-7数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有DMP3130LQ-7的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP3130LQ-7,现有足量库存。DMP3130LQ-7的封装/规格参数为:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;同时斯普仑现货为您提供DMP3130LQ-7数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有DMP3130LQ-7的详细使用方法及教程。

DMP3130LQ-7产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 DMP3130LQ-7
描述 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23
制造商 Diodes Incorporated
库存 1837
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 77 毫欧 @ 4.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 24 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 864 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

为智能时代加速到来而付出“真芯”