DMN3200U-7规格参数_dmn3200u-7现货热销【斯普仑】

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DMN3200U-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

5457 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN3200U-7，现有足量库存。DMN3200U-7的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供DMN3200U-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN3200U-7的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

DMN3200U-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMN3200U-7
描述	MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
制造商	Diodes Incorporated
库存	5457
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	90 毫欧 @ 2.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	290 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	650mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3