PMV45EN2R规格参数_pmv45en2r现货热销【斯普仑】

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PMV45EN2R

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB

4555 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMV45EN2R，现有足量库存。PMV45EN2R的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供PMV45EN2R数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMV45EN2R的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PMV45EN2R产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PMV45EN2R
描述	MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	4555
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	42 毫欧 @ 4.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	6.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	209 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	510mW（Ta），5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-236AB
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3