BSH205G2R规格参数_bsh205g2r现货热销【斯普仑】

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BSH205G2R

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB

5984 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BSH205G2R，现有足量库存。BSH205G2R的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供BSH205G2R数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSH205G2R的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

BSH205G2R产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSH205G2R
描述	MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	5984
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	170 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	6.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	418 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	480mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-236AB
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3