DMP3030SN-7规格参数_dmp3030sn-7现货热销【斯普仑】

400-900-8690

DMP3030SN-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3

4203 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP3030SN-7，现有足量库存。DMP3030SN-7的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供DMP3030SN-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP3030SN-7的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

DMP3030SN-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMP3030SN-7
描述	MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
制造商	Diodes Incorporated
库存	4203
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	700mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	250 毫欧 @ 400mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	160 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	500mW（Ta）
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SC-59-3
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3