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制造商：Central Semiconductor Corp
封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
斯普仑电子元件现货为您提供Central Semiconductor Corp设计生产的2N7002 TR PBFREE，现有足量库存。2N7002 TR PBFREE的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供2N7002 TR PBFREE数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2N7002 TR PBFREE的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Central Semiconductor Corp设计生产的2N7002 TR PBFREE，现有足量库存。2N7002 TR PBFREE的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供2N7002 TR PBFREE数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2N7002 TR PBFREE的详细使用方法及教程。
| 2N7002 TR PBFREE产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | 2N7002 TR PBFREE |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 |
| 制造商 | Central Semiconductor Corp |
| 库存 | 7016 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 115mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | 40V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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