欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149

PMXB43UNEZ

制造商:Nexperia USA Inc.

封装外壳:3-XDFN 裸露焊盘

描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3

9432 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMXB43UNEZ,现有足量库存。PMXB43UNEZ的封装/规格参数为:3-XDFN 裸露焊盘;同时斯普仑现货为您提供PMXB43UNEZ数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有PMXB43UNEZ的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMXB43UNEZ,现有足量库存。PMXB43UNEZ的封装/规格参数为:3-XDFN 裸露焊盘;同时斯普仑现货为您提供PMXB43UNEZ数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有PMXB43UNEZ的详细使用方法及教程。

PMXB43UNEZ产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 PMXB43UNEZ
描述 MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
制造商 Nexperia USA Inc.
库存 9432
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 54 毫欧 @ 3.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 551 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 400mW(Ta),8.33W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DFN1010D-3
封装/外壳 3-XDFN 裸露焊盘

为智能时代加速到来而付出“真芯”