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SSM3J356R,LF

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳:SOT-23-3 扁平引线

描述:MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F

4432 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM3J356R,LF,现有足量库存。SSM3J356R,LF的封装/规格参数为:SOT-23-3 扁平引线;同时斯普仑现货为您提供SSM3J356R,LF数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SSM3J356R,LF的详细使用方法及教程。

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SSM3J356R,LF产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SSM3J356R,LF
描述 MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 4432
系列 U-MOSVI
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 300 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) +10V,-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 330 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23F
封装/外壳 SOT-23-3 扁平引线

为智能时代加速到来而付出“真芯”