欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149

SSM3J334R,LF

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳:SOT-23-3 扁平引线

描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F

2209 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM3J334R,LF,现有足量库存。SSM3J334R,LF的封装/规格参数为:SOT-23-3 扁平引线;同时斯普仑现货为您提供SSM3J334R,LF数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SSM3J334R,LF的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM3J334R,LF,现有足量库存。SSM3J334R,LF的封装/规格参数为:SOT-23-3 扁平引线;同时斯普仑现货为您提供SSM3J334R,LF数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SSM3J334R,LF的详细使用方法及教程。

SSM3J334R,LF产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SSM3J334R,LF
描述 MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 2209
系列 U-MOSVI
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 71 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 280 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23F
封装/外壳 SOT-23-3 扁平引线

为智能时代加速到来而付出“真芯”